栅极最大开启电压一般不超过22v。与前级驱动栅极电阻最好不＞470Ω（一般是配合加速电路），否则开关速度变慢易坏场效应管。

　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。